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如何區(qū)別DDR2內(nèi)存和DDR3內(nèi)存

我要評論 2009/10/20 10:50:46 來源:綠色資源網(wǎng) 編輯:綠色資源站 [ ] 評論:0 點(diǎn)擊:607次

    DDR3在大容量內(nèi)存的支持較好,而大容量內(nèi)存的分水嶺是4GB這個(gè)容量,4GB是32位操作系統(tǒng)的執(zhí)行上限(不考慮PAE等等的內(nèi)存映像模式,因這些32位元元延伸模式只是過渡方式,會降低效能,不會在零售市場成為技術(shù)主流)當(dāng)市場需求超過4GB的時(shí)候,64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案,此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。DDR3 UB DIMM 2007進(jìn)入市場,成為主流時(shí)間點(diǎn)多數(shù)廠商預(yù)計(jì)會是到2010年。DDR3內(nèi)存相對于DDR2內(nèi)存,其實(shí)只是規(guī)格上的提高,并沒有真正的全面換代的新架構(gòu)。DDR3接觸針腳數(shù)目同DDR2皆為240pin。但是防呆的缺口位置不同。

    一、與DDR2相比DDR3具有的優(yōu)點(diǎn)(桌上型unbuffered DIMM): 

    1.速度更快:prefetch buffer寬度從4bit提升到8bit,核心同頻率下數(shù)據(jù)傳輸量將會是DDR2的兩倍。
    
    2.更省電:DDR3 Module電壓從DDR2的1.8V降低到1.5V,同頻率下比DDR2更省電,搭配SRT(Self-Refresh Temperature)功能,內(nèi)部增加溫度senser,可依溫度動態(tài)控制更新率(RASR,Partial Array Self-Refresh功能),達(dá)到省電目的。
    
    3.容量更大:更多的Bank數(shù)量,依照J(rèn)EDEC標(biāo)準(zhǔn),DDR2應(yīng)可出到單位元元4Gb的容量(亦即單條模塊可到8GB),但目前許多DRAM 廠商的規(guī)劃,DDR2生產(chǎn)可能會跳過這個(gè)4Gb單位元元容量,也就是說屆時(shí)單條DDR2的DRAM模塊,容量最大可能只會到4GB。而DDR3模塊容量將從1GB起跳,目前規(guī)劃單條模塊到16GB也沒問題(注意:這里指的是零售組裝市場專用的unbuffered DIMM而言,server用的FB與Registered不在此限)。

    二、DDR2與DDR3內(nèi)存的特性區(qū)別:

    1、邏輯Bank數(shù)量
    
    DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì),目的就是為了應(yīng)對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步,因此起始的邏輯Bank就是8個(gè),另外還為未來的16個(gè)邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。
    
    2、封裝(Packages)
    
    由于DDR3新增了一些功能,在引腳方面會有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封裝,16bit芯片采用96球FBGA封裝,而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規(guī)格。并且DDR3必須是綠色封裝,不能含有任何有害物質(zhì)。
    
    3、突發(fā)長度(BL,Burst Length)

    由于DDR3的預(yù)取為8bit,所以突發(fā)傳輸周期(BL,Burst Length)也固定為8,而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng),BL=4也是常用的,DDR3為此增加了一個(gè)4-bit Burst Chop(突發(fā)突變)模式,即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫入操作來合成一個(gè)BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸,屆時(shí)可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。
    
    4、尋址時(shí)序(Timing)

    就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)增加一樣,DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2至5之間,而 DDR3則在5至11之間,且附加延遲(AL)的設(shè)計(jì)也有所變化。DDR2時(shí)AL的范圍是0至4,而DDR3時(shí)AL有三種選項(xiàng),分別是0、CL-1和CL -2。另外,DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)——寫入延遲(CWD),這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。  

關(guān)鍵詞:DDR2內(nèi)存,DDR3內(nèi)存

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