BIOS內(nèi)存設(shè)置不對(duì),也會(huì)造成花屏故障?
一臺(tái)電腦,配置為:P4賽揚(yáng)1.8GHz、256MB DDR266內(nèi)存、i845GL主板、40GB硬盤。原來比較穩(wěn)定,不久前把P4賽揚(yáng)1.8GHz100MHz×18超到2.4GHz(133MHz×18),結(jié)果死機(jī)了,只好清空BIOS設(shè)置,再啟動(dòng)進(jìn)入BIOS的“Standard CMOS Feature”選項(xiàng),把“Drive A”設(shè)置為“None”,保存后開機(jī)成功,可以進(jìn)入Windows了。
在玩一個(gè)3D游戲時(shí),出現(xiàn)了花屏現(xiàn)象,但是超頻前玩這款游戲時(shí)卻沒有出現(xiàn)花屏哦。超頻前正常,而超頻后只進(jìn)行過清空BIOS的操作,難道與清空BIOS設(shè)置有關(guān)?仔細(xì)檢查集成顯卡的設(shè)置選項(xiàng),都沒有問題哦。
在檢查內(nèi)存參數(shù)設(shè)置時(shí),發(fā)現(xiàn)“CAS Latency Time”被默認(rèn)設(shè)置為3,“Active to Precharge Delay”被默認(rèn)設(shè)置為5,“DRAM RAS# to CAS# Delay”被默認(rèn)設(shè)置為為3,“DRAM RAS# Precharge”被默認(rèn)設(shè)置為3。終于明白了原因,原來在清空BIOS設(shè)置后,系統(tǒng)所默認(rèn)設(shè)置的內(nèi)存參數(shù)較低,而集成顯卡在運(yùn)行時(shí)要調(diào)用系統(tǒng)內(nèi)存,特別是在運(yùn)行大型3D游戲時(shí),對(duì)內(nèi)存要求較高。于是把“CAS Latency Time”設(shè)置為2,“Active to Precharge Delay”設(shè)置為5,“DRAM RAS# to CAS# Delay”設(shè)置為2,“DRAM RAS# Precharge”設(shè)置為2,保存后進(jìn)入Windows,運(yùn)行剛才的3D游戲,果然沒有出現(xiàn)花屏了。
關(guān)鍵詞:BIOS內(nèi)存設(shè)置,花屏故障
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